中國半導體追到哪了？昇騰、SMIC 與矽盾的厚薄

2025 年 9 月,在華為一年一度的全聯接大會上,輪值董事長徐直軍做了一件過去中國晶片業者從不敢做的事:他把一張排到 2028 年的 AI 晶片路線圖,公開攤在所有人面前。

昇騰 910C(2025)、昇騰 950(2026)、昇騰 960(2027)、昇騰 970(2028)——一年一代,清清楚楚 ^[8]。

這個動作的意義,遠比那幾顆晶片本身重要。一個還在被美國卡脖子、被斷供光刻機的國家,敢把三年後的產品時程公告天下——這不是「追趕者」躲在後面偷跑的姿態,而是「另起爐灶者」站到台前的宣言:我不只想追上你,我要建一套不靠你也能轉的系統。

對台灣,這張路線圖直接戳中最敏感的神經。我們的安全,有很大一部分押在一個看不見的數字上——技術代差。只要台積電的製程領先對手好幾個世代,全世界的 AI、手機、武器都離不開台灣,台海就不能亂。這就是「矽盾」。所以要評估這面盾還有多厚,不能只看自己有多強,得回頭冷靜地量一件事:追在後面的那把矛,到底磨到哪了?

答案很弔詭,而且這個弔詭本身就是整篇的關鍵:「中國追上來了」和「中國卡住了」,竟然同時是真的。

衝的一面:他們真的在出貨了

先看讓人睡不著的那一面。別再用「中國良率低」來自我安慰了——那是 2023 年的劇本。

中國晶圓代工龍頭中芯國際(SMIC),在沒有 EUV 光刻機的情況下,硬是用較舊的 DUV(深紫外)光刻,靠著多重曝光「印」出了相當於 7 奈米的製程。這條路又貴又難,但它確實走通了。第三方估計,SMIC 的先進節點(7nm 及以下)月產能,將從 2025 年底約 4.5 萬片,2026 年衝到約 6 萬片,2027 年上看 8 萬片 ^[3][4]。

更刺眼的是良率。華為昇騰(Ascend)910C——這顆對標輝達的 AI 晶片——良率一度低到讓人搖頭,但 2025 年已傳出拉升到接近 40%,讓整條昇騰產線第一次轉虧為盈 ^[5]。40% 仍遠低於業界成熟的 60% 標準,但「能賺錢」這三個字,意味著它從「實驗室裡的政治宣示」變成了「商業上跑得動的生意」。華為 2026 年的目標,是把昇騰 910C 的年產量拉到約 60 萬顆(目標值),大約是前一年的兩倍 ^[4]。

策略也變了。中國已經從早年「死磕最尖端節點」,轉為「把現有能力衝量、優先餵 AI 晶片」。它不再執著於做出全世界最強的那一顆,而是先求「夠用、夠多」。對一個被封鎖的經濟體,這個務實轉向,比任何一次技術突破都更危險。

卡的一面:三道還沒拆掉的硬牆

但把同一組數字翻到背面,是三道很硬、很難在短期內拆掉的牆。

第一道牆是良率與成本。 用 DUV 做 7nm,等於用一支普通畫筆去畫工筆細描——做得出來,但每一片晶圓的成本、耗時、報廢率都遠高於用 EUV 的台積電。40% 的良率代表每印十顆就要丟掉六顆,這在和平時期是巨大的浪費,只有在「不計成本的國家工程」邏輯下才撐得住。

第二道牆是 HBM(高頻寬記憶體)。 這曾經是中國 AI 算力最致命的天花板。AI 晶片要跑得快,需要大量 HBM 像三明治一樣堆疊在運算核心旁邊;而 HBM 的高階產能幾乎被南韓的三星、SK 海力士與美光壟斷,還在 2024 年底被美國列入對中管制。沒有 HBM,再強的運算核心也是「有引擎、沒油路」。

第三道牆是設備生態。 半導體自主化從來不是「會做晶片」單點就能成——它需要國產的記憶體、國產的設備、國產的 EDA 設計軟體,整條生態同步到位 ^[4]。任何一環缺料,整條鏈都會卡。華為先前甚至得「繞道」讓台積電代工約 200 萬顆 AI 晶片裸晶,正好說明本土產能還撐不起它的野心 ^[4]。

把矛與盾擺在一起量:輝達在台積電做的是 N2(2 奈米)等級;中國量產主力仍是增強型 7nm。最尖端的單晶片差距,仍有約兩個世代 ^[8]。國際智庫如美國外交關係協會(CFR)據此主張:華為短期內追不上輝達,出口管制應該繼續 ^[8]。

所以,如果故事到這裡就結束,結論會是安心的:「矽盾還厚,睡吧。」

但 2026 年真正的劇情,從這裡才開始。

中國的真本事:不跟你比晶片,跟你比「機櫃」

這是台灣最常忽略、也最該補上的一課:當你打不贏單顆晶片,你可以換一個題目來比。

華為的算盤是這樣的:單顆昇騰打不過單顆輝達?沒關係——那我用「更多顆、串更大」來補。它把成千上萬張較弱的卡,透過自研的高速互連技術,串成一個巨大的「超級節點」(SuperPoD)。已經部署的 CloudMatrix 384 超級節點,把 384 張卡綁成一台;而路線圖上的 Atlas 960 SuperPoD,2027 年要把卡數一口氣拉到 15,488 張(目標值)^[8]。

這招的精髓在於:AI 訓練拚的是「整個叢集的總算力」,不是「單顆晶片的峰值」。 就像一場戰爭,贏的不一定是單兵最強的那方,而是能把最多兵力有效協調起來的那方。中國的單晶片或許落後兩代、又貴又耗電,但只要它能把夠多的卡有效地連起來,在「機櫃級」「資料中心級」的總算力上,它就有機會逼近、甚至局部超越。

這就是為什麼,光看「製程落後幾奈米」會嚴重誤判局勢。中國正在用「系統級的規模」去補「晶片級的代差」——用工程和組織能力,繞過它暫時翻不過的物理高牆。

我說過要盯的兩個變數?都響了

我們在更早的分析裡說過:別糾結「中國追上了沒」,要盯兩個會直接改寫方程式的變數——HBM 和 EUV。

2025 年底到 2026 年,這兩個警報,幾乎同時響了。

第一,HBM 的牆,被「自研」繞了過去。 華為沒有傻等別人解禁,而是宣布 950 系列將改用自己研發的 HBM(代號 HiBL、HiZQ),號稱頻寬上看 1.6 TB/s,並與中國記憶體廠 CXMT 共同開發 ^[7]。這是典型的中國式應對:你禁我買,我就自己造。當然,牆沒那麼好繞——產業媒體 DigiTimes 就報導,CXMT 的 HBM3 量產時程其實在「跳票」,真正的 12 層堆疊量產恐怕要等到 2027 年才追上南韓 ^[6]。所以這道牆是「被攻擊中,但還沒倒」。

第二,EUV 的牆,出現了第一道裂縫。 2025 年 12 月,深圳一處高度保密的研究設施,傳出驗證了一台國產 EUV 光刻機原型——首次由中國自製系統穩定產生 13.5 奈米的 EUV 光束。它走的是和 ASML 不同的技術路線(LDP,雷射放電電漿),功率較低(約 100–150W,ASML 是 250W 以上),但這是「從 0 到 1」的一步。這套「舉國體制」由華為與深圳新凱來(SiCarrier)主導,目標是 2028 年供 AI 晶片量產 ^[10]。清華大學另一條 SSMB(穩態微聚束)路線,甚至想直接跳過 ASML 現有世代 ^[11]。

但這裡必須誠實地踩煞車。美國智庫 CSIS 對這類消息的態度是一句冷靜的提問:「這是突破,還是吹噓?」(Breakthroughs or Boasts?)^[9]。一台「驗證了原型」的機器,離「能穩定、高良率、大規模量產」還有十萬八千里;中國過去也不乏「重大突破」最後查無下文。所以正確的讀法是:裂縫出現了,但牆還沒倒——這是觀察級的訊號,不是已定的事實(標信心:中)。

矽盾的另一面:美國正親手把牆放低

如果說以上都是「對手在墊高自己」,那 2026 年最被低估的變化,是「美國正在放低自己的牆」。

過去幾年,美國的對中晶片管制一路收緊:2022、2023 連兩波出口管制,2024 年底再把 HBM 與先進封裝納入管制 ^[13]。這道「牆」越高,中國越痛,台積電的代差就越值錢——矽盾就越厚。

但川普政府上台後,方向轉了彎。輝達專為中國設計的 H20 晶片,2025 年 4 月一度被要求逐案申請執照、形同卡關;結果 7 月政策大轉彎、又放行出貨。更關鍵的是 2025 年 12 月,美方宣布將逐案審查放行更強的 H200 輸往中國;到 2026 年 5 月,輝達 H200、超微 MI308 已可賣進中國 ^[1][2]。輝達甚至為中國量身打造了 Blackwell 世代的 B30A,效能據稱達標準版的約 80%。

這對矽盾是一個微妙而危險的訊號。當美國為了商業利益,願意把次頂級的晶片重新賣回中國,它等於同時做了兩件事: 一是給了中國 AI 產業「真槍實彈」去練兵、去逼近;二是讓「台灣製造的最尖端晶片無可取代」這個矽盾的核心命題,變得不再那麼絕對。換句話說,矽盾的厚薄,從來不只取決於中國追多快,也取決於華府願意把牆築多高。 而這道牆,現在正從內側被放低。

所以,矽盾還厚嗎?

把三面拼起來——中國在衝量、在換題目、在攻牆,美國在鬆綁——最誠實的描述是:

矽盾的「最尖端」那一截,還很厚;但「夠用」那一截,正在變薄。

往好處看,台灣在真正的制高點上不但沒輸,還在拉開。台積電 2025 年第四季已量產 2 奈米(N2),是全球唯一能大量供應這個世代的廠;A16(含背面供電)排在 2026 下半年 ^[12]。AI 晶片最關鍵的先進封裝 CoWoS,台積電產能正從 2024 年底約每月 3.5 萬片,衝向 2026 年底約 13 萬片,而且早已被輝達等客戶訂到滿 ^[12]。最尖端的產線,確定留在台灣到這個十年結束 ^[10]。這就是矽盾最硬的那一截。

但往壞處看,中國「夠用、夠多、夠便宜」的自給,會從下面把台灣的市場一層層吃掉:成熟製程的訂單、中國內需的市場、對價格敏感的中低階應用。它或許永遠追不上最尖端,但它不需要追上——它只需要在「夠用」的層級拿到規模,就能改變整個產業的重力。

所以紅隊兩邊都對,而且必須一起聽:東方之眼說,別用良率低自我安慰,昇騰在出貨、路線圖排到 2028、系統級在逼近,這是真的;西方之眼說,但「夠用」不等於「對等」,HBM 自研會跳票、國產 EUV 可能是吹噓、單晶片仍落後兩代,代差還在。真正該記住的一句是:矽盾的代差確實還在,但它不是永恆的,而且它的壽命,一半寫在對手的瓶頸裡,一半寫在華府的選擇裡。

台灣三視角

國家:把矽盾當成一個「會變動的變數」來管理,而不是一面「永遠都在的牆」。設三盞預警燈定期盯:① 華為自研 HBM 與 CXMT 的真實量產進度;② 國產 EUV 從「原型」走到「量產」的里程碑;③ 美方管制的鬆緊——這一盞過去最被忽略,卻可能是最關鍵的。出口管制(接〈閘門換手〉)要精準卡在 HBM、先進設備、EDA、CoWoS 這些真瓶頸,而不是泛泛而管、徒增自家業者成本。

半導體產業:守住兩條護城河——最尖端節點(N2/A16)與先進封裝(CoWoS/HBM 整合,接〈矽盾縱深〉)。這是中國短期內最難複製、也是矽盾變現能力的所在。同時要清醒:中國「夠用」自給將從成熟製程端,持續侵蝕台廠的中低階與內需訂單,這塊守不住、也不必假裝它不存在。

中小企業:成熟製程(28nm 以上)才是中國產能傾銷最快淹過來的紅海。相關的設計服務、封測、設備中小廠,應及早往特殊製程(車用、感測、功率元件)與利基應用轉,避開正面價格戰;把「技術獨特性」而非「產能規模」當成護身符。

回到 2025 年 9 月那張路線圖。徐直軍敢把三年後的產品攤在台前,賭的不是「我下一顆晶片比輝達強」——他知道短期內賭不贏。他賭的是:只要我能靠衝量、靠系統、靠自研、靠舉國體制,把『夠用』做到夠大,西方那道牆遲早守不住。

而台灣要做的功課,不是焦慮地問「他追上了沒」,而是冷靜地盯住三塊還沒接穩的地方——HBM、EUV,以及華府那道隨時可能被放低的牆。

量一面盾的厚薄,要看對手的矛磨到哪。中國這把矛,刃在變利、柄還沒接穩;但握矛的人,已經不躲了。盾的壽命,寫在對手的瓶頸裡,也寫在盟友的選擇裡——這兩件事,台灣都得自己盯緊。